Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3
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- SI5414DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5414DC-T1-GE3 Ficha técnica
- 8-SMD, Flat Lead
- 8-SMD, Flat Lead
-
Lead free / RoHS Compliant - 2355
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
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Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number SI5414DC-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 |
| Package 8-SMD, Flat Lead |
| Series TrenchFET? |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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