Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGG
- TSM200N03DPQ33 RGG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- TSM200N03DPQ33 RGG Ficha técnica
- 8-PowerWDFN
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 28255
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Part Number TSM200N03DPQ33 RGG |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer Taiwan Semiconductor Corporation |
Description MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN |
Package Cut Tape (CT) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-PowerWDFN |
Supplier Device Package 8-PDFN (3x3) |
Power - Max 20W |
FET Type 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V |
Package_case 8-PowerWDFN |
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