SUD35N10-26P-E3

Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3

A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto

  • SUD35N10-26P-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SUD35N10-26P-E3 Ficha técnica
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Jinftry-Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3213
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
SUD35N10-26P-E3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Package
Jinftry-Reel®
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Package_case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUD35N10-26P-E3 Garantias

jinfftry-guarantee1

jinfftry-guarantee2

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