Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- SQM100N04-2M7_GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 100A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQM100N04-2M7_GE3 Ficha técnica
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 5138
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number SQM100N04-2M7_GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 40V 100A TO263 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package TO-263 (D²Pak) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 157W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7910 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
SQM100N04-2M7_GE3 Garantias
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• Acesso Global
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