Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_GE3
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- SQ3418AEEV-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQ3418AEEV-T1_GE3 Ficha técnica
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 9705
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number SQ3418AEEV-T1_GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package 6-TSOP |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 5W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
SQ3418AEEV-T1_GE3 Garantias
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