Vishay Siliconix SIS452DN-T1-GE3
- SIS452DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIS452DN-T1-GE3 Ficha técnica
- PowerPAK® 1212-8
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2283
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
| Número da peça SIS452DN-T1-GE3 |
| Categoria Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fabricante Vishay Siliconix |
| Descrição MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8 |
| Pacote -Reel® |
| Série TrenchFET® |
| Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem Surface Mount |
| Pacote/Caso PowerPAK® 1212-8 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® 1212-8 |
| Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) |
| Dissipação de energia (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Tipo FET N-Channel |
| Recurso FET - |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) 12 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 35A (Tc) |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs 3.25mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @Id 2.2V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1700 pF @ 6 V |
| Vgs (máx.) ±20V |
| Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado) 4.5V, 10V |
SIS452DN-T1-GE3 Garantias



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