SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SIS452DN-T1-GE3

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  • SIS452DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIS452DN-T1-GE3 Ficha técnica
  • PowerPAK® 1212-8
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2283
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Número da peça
SIS452DN-T1-GE3
Categoria
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Pacote
-Reel®
Série
TrenchFET®
Temperatura operacional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caso
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3.25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @Id
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1700 pF @ 6 V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado)
4.5V, 10V

SIS452DN-T1-GE3 Garantias

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