SIHW33N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHW33N60E-GE3

A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto

  • SIHW33N60E-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIHW33N60E-GE3 Ficha técnica
  • TO-3P-3 Full Pack
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2409
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
SIHW33N60E-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-247AD
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-3P-3 Full Pack

SIHW33N60E-GE3 Garantias

jinfftry-guarantee1

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