NTRV4101PT1G

ON Semiconductor NTRV4101PT1G

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  • NTRV4101PT1G
  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTRV4101PT1G Ficha técnica
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 16446
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
NTRV4101PT1G
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Description
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Package
Cut Tape (CT)
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
420mW (Ta)
FET Type
P-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
675 pF @ 10 V
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Package_case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTRV4101PT1G Garantias

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