IXTM35N30

IXYS IXTM35N30

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  • IXTM35N30
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTM35N30 Ficha técnica
  • TO-204AE
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4934
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
IXTM35N30
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Package
Tube
Series
GigaMOS™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-204AE
Supplier Device Package
TO-204AE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-204AE

IXTM35N30 Garantias

jinfftry-guarantee1

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• Qualidade garantida

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