Infineon Technologies IPD65R250E6XTMA1
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- IPD65R250E6XTMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD65R250E6XTMA1 Ficha técnica
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4498
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number IPD65R250E6XTMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series CoolMOS™ E6 |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package PG-TO252-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 208W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 1000 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD65R250E6XTMA1 Garantias
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