Infineon Technologies IPD11DP10NMATMA1
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- IPD11DP10NMATMA1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD11DP10NMATMA1 Ficha técnica
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3886
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number IPD11DP10NMATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description TRENCH >=100V PG-TO252-3 |
| Package Tube |
| Series OptiMOS™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package PG-TO252-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 125W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta), 22A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD11DP10NMATMA1 Garantias
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