Infineon Technologies IPD079N06L3 G
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- IPD079N06L3 G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD079N06L3 G Ficha técnica
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
Lead free / RoHS Compliant - 2284
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Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number IPD079N06L3 G |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| Package TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Series OptiMOS? |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package PG-TO252-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 79W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) 20V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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