Integra Technologies Inc. IGN1011L70
- IGN1011L70
- Integra Technologies Inc.
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- IGN1011L70 Ficha técnica
- PL32A2
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 1872
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Part Number IGN1011L70 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer Integra Technologies Inc. |
Description GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
Package Bulk |
Series - |
Package / Case PL32A2 |
Supplier Device Package PL32A2 |
Frequency 1.03GHz ~ 1.09GHz |
Gain 22dB |
Noise Figure - |
Power - Output 80W |
Transistor Type GaN HEMT |
Voltage - Test 50 V |
Current - Test 22 mA |
Voltage - Rated 120 V |
Current Rating (Amps) - |
Package_case PL32A2 |
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