ON Semiconductor FQP6N90C
- FQP6N90C
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQP6N90C Ficha técnica
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3580
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
| Número da peça FQP6N90C |
| Categoria Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fabricante ON Semiconductor |
| Descrição MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3 |
| Pacote Tube |
| Série QFET® |
| Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem Through Hole |
| Pacote/Caso TO-220-3 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220-3 |
| Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) |
| Dissipação de energia (máx.) 167W (Tc) |
| Tipo FET N-Channel |
| Recurso FET - |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) 900 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs 2.3Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @Id 5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs 40 nC @ 10 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1770 pF @ 25 V |
| Vgs (máx.) ±30V |
| Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado) 10V |
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