FQP6N90C

ON Semiconductor FQP6N90C

A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto

  • FQP6N90C
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FQP6N90C Ficha técnica
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3580
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Número da peça
FQP6N90C
Categoria
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Pacote
Tube
Série
QFET®
Temperatura operacional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caso
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (máx.)
167W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Vgs (máx.)
±30V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado)
10V

FQP6N90C Garantias

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