ON Semiconductor FDB12N50UTM_WS
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- FDB12N50UTM_WS
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDB12N50UTM_WS Ficha técnica
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2881
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number FDB12N50UTM_WS |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series FRFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package D²PAK (TO-263) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 165W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1395 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDB12N50UTM_WS Garantias
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