EPC EPC2016C
- EPC2016C
- EPC
- GANFET N-CH 100V 18A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2016C Ficha técnica
- Die
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 19924
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Part Number EPC2016C |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer EPC |
Description GANFET N-CH 100V 18A DIE |
Package Tape & Reel (TR) |
Series eGaN® |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) - |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 11A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 50 V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V |
Package_case Die |
EPC2016C Garantias
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