EPC2010CENGR

EPC EPC2010CENGR

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  • EPC2010CENGR
  • EPC
  • TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • EPC2010CENGR Ficha técnica
  • Die
  • Die
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2014
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
EPC2010CENGR
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
EPC
Description
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Package
Die
Series
eGaN?
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die Outline (7-Solder Bar)
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Package_case
Die

EPC2010CENGR Garantias

jinfftry-guarantee1

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