DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto

  • DMN2016UTS-13
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • DMN2016UTS-13 Ficha técnica
  • 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4301
  • Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
  • 1 ano de garantia de qualidade 》
  • Clique para obter taxas
Part Number
DMN2016UTS-13
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
Diodes Incorporated
Description
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Package
Cut Tape (CT)
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP
Power - Max
880mW
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1495pF @ 10V
Package_case
8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)

DMN2016UTS-13 Garantias

jinfftry-guarantee1

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• Qualidade garantida

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