Infineon Technologies BSC0802LSATMA1
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- BSC0802LSATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSC0802LSATMA1 Ficha técnica
- 8-PowerTDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 10725
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
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Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number BSC0802LSATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series OptiMOS™ 5 |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package PG-TDSON-8-7 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 156W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 115µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case 8-PowerTDFN |
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