Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-GR(TE85L,F)
A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS SJT N-CH 10MA SC59
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 2SK209-GR(TE85L,F) Ficha técnica
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4972
- Inventário spot/distribuidores autorizados/inventário excedentário de fábrica
- 1 ano de garantia de qualidade 》
- Clique para obter taxas
Serviço de entrega:
Métodos de Pagamento:
| Part Number 2SK209-GR(TE85L,F) |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description TRANS SJT N-CH 10MA SC59 |
| Package Bulk |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package SC-59 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 150mW (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs - |
| Vgs(th) (Max) @ Id - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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